中国教育新闻网
http://www.jyb.cn/world/gjsx/201406/t20140628_588098.html
新民网:
http://biz.xinmin.cn/2014/06/28/24653029.html
陕西新闻网
http://www.sxdaily.com.cn/n/2014/0628/c403-5459785.html
京津新闻网
http://www.weiyiwo88.com/jiaoyu/15355.html
本报讯 (记者 孙军) 日前,青岛理工大学收到美国专利商标局的通知:兰红波教授申请的专利“Method And Device For Full Wafer Nanoimprint Lithography”获得美国发明专利授权,专利号:US8,741,199 B2。这是青岛理工大学首次获得美国发明专利授权。
在国家自然科学基金“纳米制造的基础研究”重大研究计划、教育部新世纪优秀人才支持计划等项目的资助下,基于该专利,兰红波团队目前已经成功开发了国内首台具有自主知识产权4英寸整片晶圆纳米压印光刻机工程样机,目前正在开展6英寸和m级尺度超大面积纳米压印工艺和装备的研究。
据介绍,大面积纳米压印光刻技术在高亮度LEDs、高清平板显示、高效太阳能电池板、晶圆级光学器件、高密度存储HDD、量子点、石墨烯等众多领域具有广阔的应用前景。